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TSMC tiene planes de empezar la producción del proceso de 3 nm en 2022, y hacer una revisión mejorada en 2023

La tecnología de fabricación a 5 nanómetros ya está disponible para gran variedad de chipsets: Apple A14 Bionic, Samsung Exynos 1080, Kirin 9000, Snapdragon 888, etc. Es por ello que en los próximos dos años está planeado que el salto a los 3 nm sea una realidad tanto para TSMC como Samsung, los mayores proveedores de chipsets en la actualidad.

El año que viene, en 2021, está previsto que haya una revisión del proceso de fabricación actual mejorando algunos aspectos. Pero deberemos esperar al menos hasta 2022 para que podamos ver un salto en el tamaño de los semiconductores.

TSMC comenzará a producir chips a 3 nm en 2022

Anteriormente, las filtraciones señalaban que TSMC comenzaría la producción en masa de chips a 3 nm en 2022. Parece que eran ciertas tras las nuevas declaraciones aportadas al medio inglés Digitimes por parte de la compañía de semiconductores.

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Uno de los principales clientes de TSMC es Apple, el cual dispone de los chips ARM de 5 nm destinados a dispositivos móviles, los A14 Bionic, y los recién lanzados destinados a los Mac, el chipset M1. Actualmente ambos están fabricados en el proceso de 5 nm, y parece que la alianza seguirá por lo menos hasta 2023, fecha para la cual TSMC tiene planeado que pueda tener una versión mejorada de los 3 nm.

Si las reglas de nomenclatura de Apple permanecen sin cambios, entonces el procesador A17 correspondiente en 2023 debe usarse en el “iPhone 15”. Por supuesto, definitivamente también se utilizarán los procesadores de la serie M en Mac ya que ha sido una gran revolución. Esto significa que Apple ya no comercializará productos Mac con procesadores Intel.

Por parte de Qualcomm, parece que también seguirá apostado por la fabricación de TSMC tras presentar su nuevo Snapdragon 888 5G. Mientras, los chipsets Exynos seguirán siendo fabricación propia, y pronto podría tener un cliente nuevo: Huawei y sus Kirin. Esto se debe a que el gobierno de Estados Unidos impide que la empresa china trabaje con la americana.

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Según declaraciones anteriores, la fabricación de los 3nm logrará una mejora del rendimiento del 15%, una reducción del consumo de energía del 30% y un aumento de la densidad del 70%. Pero los parámetros específicos de 3nm Plus aún no están claros.

El proceso de 3nm de TSMC todavía usa transistores de efecto de campo tipo aleta FinFET, mientras que el 3nm de Samsung usa el enfoque de transistor de puerta envolvente GAA más avanzado. En este sentido, TSMC cree que el proceso actual de FinFET es mejor en términos de costo y eficiencia energética. Por lo tanto, el primer conjunto de chips de 3 nm seguirá utilizando la tecnología de transistores FinFET.

Sin embargo, Samsung, un viejo rival de TSMC, está apostando a que el nodo de 3nm cambiará a mejor gracias a la implementación de dicha tecnología. Por tanto, su progreso y opciones tecnológicas son muy radicales. Eliminará los transistores FinFET y utilizará GAA. Tendremos que esperar para ver en qué repercute este cambio a nivel de rendimiento, eficiencia, y coste del producto.

Como referencia, el Kirin 990 5G con el proceso EUV de 7 nm de TSMC tiene un tamaño de 113,31 mm², una densidad de transistores de 10,3 mil millones, un promedio de 90 millones/mm². El proceso de 3 nm de TSMC brindaría una densidad de transistores que crea un nuevo récord, 250 millones/mm². Esto significa que la densidad del transistor del proceso de 3 nm es 3,6 veces mayor que la del proceso de 7 nm.

Carlos Llorca
Creador y editor jefe de Techdroy. Desde pequeño me apasiona la tecnología, es una forma de vida que me gusta compartir con el mundo entero. Por ello, creé Techdroy para desarrollar mis ideas y opiniones acerca de los smartphone, ordenadores o cualquier dispositivo electrónico. ¿Te unes a nosotros?