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Samsung revela su sensor fotográfico de 144 MP fabricado con el proceso 14nm FinFET

Estamos llegando a unos extremos de locura para los sensores fotográficos incorporados en los dispositivos móviles. ¿Por qué decimos esto? Por lo general, cuando hablamos de nanómetros, se trata del último conjunto de chips. Sin embargo, un equipo de Samsung en la conferencia IEDM 2019 ha presentado una tecnología prometedora de sensores de imagen de 144MP basada en un proceso FinFET de 14 nm.

El principal desafío es que los sensores de imagen deben funcionar a un voltaje relativamente alto (2 V y más) y todos los diseñadores de conjuntos de chips buscan el voltaje más bajo posible ya que eso reduce el consumo de energía y el calor. Por lo tanto, podemos ver que con este sensor si realizamos una gran cantidad de fotografías quizás se consuma la batería de forma rápida. Pero hay más que debes saber antes de hacer estas suposiciones.

Samsung ya está desarrollando sensores fotográficos de 144MP para smartphones

El límite de resolución actual en sensores fotográficos equipados en un smartphone es de 108 MP, visto tan solo en dispositivos Xiaomi como el Mi Note 10 que no ha tenido demasiado éxito. La nueva filtración revela que Samsung está preparando un nuevo sensor con más píxeles. ¿Qué está tramando? No es de extrañar esta cantidad, ya que sin ir más lejos el Snapdragon 865 es capaz de aguantar sensores de hasta 200 MP.

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Según los investigadores de la compañía coreana Samsung, la tecnología FinFET de 14nm permitirá una reducción del 42% en el consumo de energía en un sensor de 144MP mientras captura imágenes a 10 FPS. Para una lectura de 12MP a 30-120 FPS (es decir, grabación de vídeo), el ahorro de energía puede ser de hasta el 37%.

«Los productos CMOS Image Sensor (CIS) necesitan un dispositivo de mayor voltaje y mejores características analógicas que los productos SOC & Logic convencionales. Este trabajo presenta un proceso FinFET de 14 nm recientemente desarrollado con características de dispositivo FinFET de alto voltaje de 2.xV que muestran excelentes características digitales analógicas y de baja potencia en comparación con proceso plano de 28 nm. Gm se mejora en un 30% y 67% en el proceso FinFET para NMOS y PMOS, respectivamente.

Las características de salida aumentaron 40 veces y 6 veces sobre el proceso plano de 28 nm. La densidad del estado de la interfaz (Nit) mejoró en más del 40% y las características de ruido de parpadeo también mejoraron en un 64% y 42% para NMOS y PMOS, respectivamente. El rendimiento del transistor ion-ioff de lógica digital mejoró en un 32% y en un 211% para NMOS y PMOS, respectivamente en comparación con el dispositivo plano de 28 nm y el consumo de energía del chip del bloque funcional de lógica digital reducido en un 34%. Se espera que el proceso FinFET de 14nm mejore el consumo de energía en un 42% en una densidad de 144 millones de píxeles», afirma Samsung.

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Debemos tener en cuenta que este anuncio no tiene nada que ver con el tamaño de píxeles del sensor. En cambio, el dato de los 14nm se refiere a los transistores que amplifican la señal proveniente de los píxeles junto con otro hardware de procesamiento analógico y digital que se encuentra en el sensor de imagen.

Esta sería la evolución que se rumoreaba sustituyendo al actual ISOCELL Bright HMX. Podemos sospechar que el sensor de 144MP haría su aparición en el futuro Galaxy Note 11. ¿Hasta cuánto pueden crecer los sensores fotográficos en cuanto a megapíxeles se refiere? | Fuente: GSMArena

Carlos Llorca
Creador y editor jefe de Techdroy. Desde pequeño me apasiona la tecnología, es una forma de vida que me gusta compartir con el mundo entero. Por ello, creé Techdroy para desarrollar mis ideas y opiniones acerca de los smartphone, ordenadores o cualquier dispositivo electrónico. ¿Te unes a nosotros?